cBNへのSiドープ
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July 17, 24
スライド概要
PHASE/0チュートリアル例題の補足説明。
https://github.com/matelier/moku-moku/tree/master/practice_phaseViewer#%E3%82%B9%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%92%E8%80%83%E6%85%AE%E3%81%97%E3%81%9F%E8%A8%88%E7%AE%97%E3%83%89%E3%83%8A%E3%83%BC%E4%B8%8D%E7%B4%94%E7%89%A9
例題の計算結果は、半導体中不純物の電子状態としてもっともらしく見えるけれども、計算精度が十分で無い恐れがあります。
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matelier
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話題提供 cBNへのSiドープ
cBNにSiをドープ • SiはB位置を占める（らしい）。 • ドナー不純物 • 64原子で実験 • Bravais格子の2x2x2倍 • 格子定数：7.26Å
SCF計算：チュートリアル例題 https://github.com/matelier/mokumoku/tree/master/practice_phaseViewer #%E3%82%B9%E3%83%94%E3%83%B3% E3%82%92%E8%80%83%E6%85%AE%E3 %81%97%E3%81%9F%E8%A8%88%E7%A E%97%E3%83%89%E3%83%8A%E3%83% BC%E4%B8%8D%E7%B4%94%E7%89%A9 • PHASE/0による計算 • Monkhorst-Pack 2x2x2 • 対称性（空間群）を利用しない。 • スピンを考慮 • ドナー的な不純物準位 • 電子一個分のスピン分極 ドナー様 準位
固定電荷計算 2x2x2 • Mesh + 四面体法 • 分割数：2x2x2と4x4x4 • スピン分極の大きさは中途半端 • おおよそ電子0.5個分 • 孤立した不純物準位無し 4x4x4
考察 • おそらく、不純物濃度が高すぎるのだろう。 • （周期境界条件を介して）不純物間の相互作用が生じている。 • SCF計算（Monkhorst-Pack）では、“たまたま”“尤もらしい”結果が得 られた、だけではないだろうか。 • k点サンプリングをmeshに変更すると、不純物準位が孤立しない。 • 「ソフトウェア（PHASE/0）の使い方と結果解釈方法を学ぶサ ンプル」として、大目に見ていただきたい。